사업소개

레이저 선행 공정 개발

레이저 선행 공정 개발

정밀 레이저 공정

  • 특징

    - 펄스 지속시간

    - 펄스 에너지/밀도

    - 반복률

    - 편광

    - 파장

    - Sub-micron 수준의 초정밀 가공을 위한 레이저 파라메터 최적화 연구

  • 적용

    - 금속/폴리어/글라스 비열 패터닝 및 가공

    - 정밀 필터/마스크 디바이스

정밀 레이저 패터닝

- 펨토초 레이저 : 초단파 지속 시간을 활용한 비열 가공

- Mask projection : 정밀한 빔 형상 제어

- Unique process : 열영향 관리

Target material

Metal(Invar 36)

  • Organic material(Polyimide)

  • Inorganic material(Glass)

Various process

  • Fine patterning
  • Embossing patterning
  • High aspect ratio drilling

반도체 레이저 어닐링

  • 특징

    - 다양한 레이어에 적용 가능한 파장 최적화 지원

    - 최적의 공정 지원

    - 최적의 광학 조건 구성

    - 모니터링 기능 지원

  • 적용

    - Implant 공정 후 activation

    - DRAM 트렌치 구조의 void 제거

    - Silicidation

    - 결정화

- 공정에 맞춘 레이저를 활용하여 트렌치 구조의 보이드 제거를 위한 melting 기능 지원

- 레이저 파장 및 공정 파라메터를 선택하여 성공적인 공정 수행 지원

  • Cross sectional view of typical DRAM device

  • Process parameter variation

Concept of melting annealing

- 소자 미세화로 레이저를 통한 dopant activation 필요성 증가

- 레이저 파장 및 고정 파라메터 선택으로 미세 activation 결과 달성

- 기존 RTA 공정대비 dopant diffusion 개선

  • Non-melting process mechanism :
    Solid phase transition
  • Limitation of conventional annealing ;
    leakage current followed by diffusion

Process performance

  • Clearnace of defect including EOR
  • Uniformity of Sheet Resistance :
    StdDev/ave ~ 0.307%

Improved wafer surface roughness

- Diffusion ~ <5nm

- Activation without dopant diffusion

- Surface roughness ~ bare Si