사업소개

레이저 어닐링 장비

레이저 어닐링 장비

반도체 레이저 어닐링 장비

Laser annealing for semiconductor

- VisAA는 기존의 어닐링 설비로는 성능을 발휘할 수 없는 최적의 레이저 어닐링 프로세스를 제공합니다.

- 다중 파장 시스템은 어닐링 깊이의 정밀한 제어를 제공하며 CW 레이저를 조사하여 인접 구조에 영향을 주지 않고 어닐링을 수행합니다.

  • VisAA / VisMA

    다기능 웨이퍼 열처리 시스템

    - 정밀 activation 공정 지원 : diffusion-free, 높은 rs 균일성

    - 다양한 파장의 레이저를 활용한 열처리 depth 제어

    - 단파장, 다파장 동시 조사 기능 제공

    - 표면 거칠기 개선

    - 다파장에 최적화 된 광학계와 초정밀 스테이지 지원

  • 적용

    - 웨이퍼 이온 임플란트 열처리 공정

    - DRAM deep 트렌치 구조상의 void 제거

Main specifications

Item Specification
System Semiconductor wafer annealing system by laser beam irradiation
System configuration 1) Laser & Optics system
2) Stage
3) Heating chuck system
4) Alignment & Monitoring system
5) Operating software
System Size Approximated size: 2,440(W) x 1,920(D) x ≤ 2500(H)
Approximated weight: 4ton
Available workpiece Material : 200mm wafer
Thickness : <1mm
Installation Environment Temp/Humidity Temperature control ≤ ±2℃
Humidity control 55% ± 10%
Clean room Class 1000
Vibration VC-C
Laser R-G-B Laser
Optics Beam mode : Rectangular flat-top
Beam size : >160x100µm² / >800x500µm²
Power density : >2x10⁵W/cm² (RGB each) / >8x10³W/cm² (RGB each)
Heating chuck Heater Power : 208V, 1,770W
Available Temp. : 380 °C (Max : 400 °C)
Stage X, Y, Z and θ axis
Accuracy ≤ ±1μm
Software function Recipe editor
Wafer alignment
Leveled user access control
Data logging
Alignment Lens magnification 2X, 10X

Process performance

  • Dopant activation process
  • Void melting process